Thermisches Bedampfen

Durch thermisches Bedampfen können auf Substraten dünne Schichten aus Metallen, wie Kupfer, Silber oder Gold, oder anderen Materialien, wie Siliziumdioxid oder Indiumzinnoxid, abgeschieden werden. Auch die Beschichtung von Substraten mit organischen Halbleitern kann mit dieser Methode erfolgen. Angewendet wird das thermische Bedampfen beispielsweise auch für die Herstellung von CIGS-Solarzellen (Ko-Verdampfen von Kupfer, Indium, Gallium und Selen) und für die Produktion von organischen Solarzellen (Aufdampfen von Monomeren). FHR gehört in diesem Bereich zu den führenden Anbietern von Anlagen.

Das Bedampfen zählt wie die Sputterdeposition zu den PVD-Dünnschichttechnologien (Physical Vapour Deposition). Das schichtbildende Material wird erwärmt, bis es verdampft (Flüssigkeit) oder sublimiert (Feststoff). Der entstehende Teilchendampf kondensiert anschließend auf dem zu beschichtenden Substrat.

Wie die meisten PVD-Verfahren ist auch das thermische Verdampfen ein Hochvakuumprozess. Auch reaktives Bedampfen ist möglich; so kann beispielsweise durch Einbringen von ionisiertem Sauerstoff in die Vakuumkammer die Abscheidung von Indiumzinnoxid-Schichten verbessert werden.

Im Vergleich zu anderen PVD-Dünnschichtverfahren erlaubt das Vakuumbedampfen besonders hohe Beschichtungsraten, abhängig vom abzuscheidenden Material und den gewünschten Schichteigenschaften. Um optimale Prozessparameter für das Aufdampfen zu garantieren, rüstet FHR die Anlagen individuell mit Verdampfungsquellen aus – Tiegel- oder Schiffchenverdampfer, Linien- oder Jetverdampfer, Spezialverdampfer.