Reaktives Ionenätzen

Reactive Ion Etching (RIE)

  • Trockenätzverfahren
  • Isotrope und anisotrope Ätzung möglich
  • Einsatz vor allem in der Halbleiterindustrie

Strukturierung für die Mikro- und Nanosystemtechnologie

Das reaktive Ionenätzen (Reactive Ion Etching – RIE) ist ein Trockenätzverfahren, das chemische und physikalische Prozesse kombiniert: Das Auftreffen von Ionen in einem Sputter-Vorgang aktiviert die Substratoberfläche und führt die notwendige Energie zu, die eine chemische Reaktion mit dem Ätzgas ermöglicht. FHR verfügt über langjährige Erfahrungen beim Einsatz dieses Strukturierungsverfahrens.

Das Ätzgas und das Material der Oberfläche bilden dabei ein flüchtiges Reaktionsprodukt, das über das Vakuumsystem entfernt wird. Attraktiv ist diese Ätzmethode, weil sich das Ätzverhalten gut kontrollieren lässt: Homogenität, Ätzprofil, Ätzrate und Selektivität lassen sich exzellent steuern, und sowohl eine isotrope, also richtungsunabhängige, als auch eine anisotrope, gerichtete Ätzung sind erzielbar.

In Kombination mit speziellen Masken ist das reaktive Ionenätzen die Methode der Wahl beispielsweise bei der Erzeugung von Strukturen für die Mikro- und Nanosystemtechnologie. Das reaktive Ionenätzen wird vor allem in der Halbleiterindustrie als Mikrostrukturierungsverfahren eingesetzt.

FHR bietet entsprechendes Equipment für die Behandlung großflächiger Substrate (FHR.Line-Produktreihe) sowie als Bestandteil von Clustertools für die Bearbeitung von Wafern (FHR.Star-Produktreihe) an.

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