Sputter-Technologie

Kernkompetenz der FHR und etabliertes PVD-Verfahren

  • Dünne Schichten aus Kathodenstaub
  • Abscheiden von Metallen, Legierungen, Oxiden und Nitriden
  • Reaktives und nicht-reaktives Magnetronsputtern

Sputterabscheidung als traditionelle Beschichtungsmethode

Vom Teilchendampf zur homogenen Schicht

Das Kathodenzerstäuben, kurz „Sputtern“ (engl. to sputter = zerstäuben) ist eine Dünnschichttechnologie aus der Klasse der PVD-Verfahren (Physical Vapour Deposition). Dabei wird das abzuscheidende Material (Sputtertarget) durch Beschuss mit Plasma-Ionen zunächst zerstäubt und in die Gasphase überführt. Auf dem zu beschichtenden Substrat kondensiert anschließend dieser Teilchendampf als hauchdünne, fest haftende Schicht. Damit können die verschiedensten Substanzen – Metalle, Legierungen, aber auch Oxide und Nitride – auf unterschiedlichste Substrate, vom Halbleiterwafer bis zum Architekturglas, großflächig und homogen aufgebracht werden.

Die Sputterabscheidung ist eine etablierte Beschichtungsmethode, die in der Dünnschichttechnologie seit Jahrzehnten und in vielen Varianten eingesetzt wird. FHR ist ein weltweiter Technologieführer auf dem Gebiet der Sputter-Technologie – besonders beim Einsatz von Magnetrons. Das Unternehmen bietet spezielles Knowhow für das reaktive und nicht-reaktive Magnetronsputtern mit Gleichstrom (DC), gepulstem Gleichstrom (DC gepulst, unipolar und bipolar), sowie mittelfrequentem (MF) und hochfrequentem (HF) Wechselstrom. Abhängig von den eingesetzten Materialien sowie den vorgesehenen Schichteigenschaften und Abscheideraten werden die verschiedenen Sputtertechnologien in den Anlagen der FHR kundenspezifisch integriert.

FHR fertigt zudem Sputtertargets selbst, so dass Sie bei unseren Anlagen von einer guten Abstimmung zwischen Anlagendesign und Fertigbarkeit des Targets profitieren. Sollte sich Ihr gewünschtes Schichtmaterial weder direkt noch reaktiv mit einem einzigen Target herstellen lassen, bieten wir Ihnen Co-Sputtern als Technologie an, so dass zwei oder mehr verschiedene Targets gleichzeitig zur Abscheidung beitragen. Insbesondere für F&E-Cluster-Anlagen, wo man zur Prozessentwicklung die Schichtzusammensetzung möglichst frei einstellen möchte, ist das Co-Sputtern von confokal angeordneten Magnetrons mit nur einem Satz Targets eine attraktive Lösung.

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