未来的微电子学

新型数据处理方法

  • IT基础架构性能增强
  • 数据处理和存储新概念
  • 耗能降低

适于电子元件功能膜层制备的高度灵活的溅射镀膜设备

应用范围

二十多年前,随着个人电脑和网络的普及,微电子学成为日常生活必不可少的一部分。自那时起,我们见证了计算机技术的迅速升级以及由此引发的人们整体生活环境的改变。但这些还不足以说明全部:诸如无人驾驶汽车、人工智能、量子计算机和无联网等技术将在不远的将来成为主流。对于这些未来技术,在开发相应软件的同时,硬件技术也需要得到发展,当然,也包括制造它们的设备。

设备指标要求

设备用于微电子器件的研发,须具备满足当前和未来全部指标要求的能力。 因此,设备须能够实现实际溅射设备可行的任意工艺组合:
适于直径最大200 mm的硅片、装片和工艺启动间隙耗时较短、应用离子轰击实现基材表面活化或刻蚀工艺、基材可加热至最高600 °C、基材接入DCRF偏压、最多可配置5个溅射靶材,在DCRF模式下以直接溅射或反应溅射方式,单独或以共溅射工艺实现不同材料的依序镀膜或同时镀膜。靶材的装配角度和靶基距也须可调,当然,设备应实现洁净室装配面积的最小化。最后,设备须能够自动化运行完整复杂工艺配方,持续记录全部工艺数据并分配用户等级。

指标解决方案

FHR.Star.100-PentaCo包含一个小型单片进样室,内置机械手臂,用于实现真空条件下的工艺转换。基片被固定在工艺腔室内的旋转台上,旋转台内置辐射式加热器,可选择接入RFDC偏压。腔室顶盖配有5个靶位,因此设备内部可同时装入相同数量的不同靶材,无需额外的更换作业。维护作业时,可通过气动方式开启工艺腔室顶盖。按照FHR设备的一贯特性,本设备也能够实现全部组件完全自动化控制并提供便捷的工艺配方管理系统。

设备特殊指标包括:

  • 基片可加热至600 °C
  • 基片可接入偏压(RFDC)
  • 最多同时适用5种不同靶材料
  • 最小化占地面积
  • 配方控制式镀膜工艺,实现全部设备组件的控制和工艺数据记录

FHR.Star.100-PentaCo

适于微电子器件的功能性膜层

用于研发领域的多功能枚叶式设备

关键指标

指标

数据

设备尺寸

4.1 m x 2.8 m x 2.7 m, 重量: < 2.5 t

基材尺寸

直径: 最大150 mm

膜层均匀性误差

+/-3 %

极限压强

5 x 10-7 mbar

联系枚叶式设备销售负责人

Manfred Beckers
销售工程师

+49 35205 520-256 sales[at]fhr.de