综合应用PECVD, ALD和FLA技术，适于新型薄膜研发的镀膜设备
应用范围
利用CVD工艺沉积氮化硅或多晶硅等，在半导体行业很普遍，但通常要求温度达到400 °C以上。然而，对于在塑料衬底上的柔性电子元件、玻璃基板上的温度敏感器件或镜面上的机械保护层而言，其不仅对温度敏感，还要求所制备的膜层尽可能致密 – 有时甚至要求其纯度更高并按预期晶体结构生长。与利用高温提供所需反应能量不同，该能量可通过等离子体(PECVD)、高度活跃化学品(ALD)或者闪光灯退火(FLA)提供，而过程中只需加热基材表面。
设备指标要求
设备设计用于新型膜层沉积工艺的研发。设备须能够在不破真空的条件下实现针对100 mm基片PECVD、ALD和FLA工艺间的切换，具备适配诸如溅射等其它工艺的设备改造能力，能够预先规划洁净室的用地面积且尽可能地节省空间。最后，设备应具备自动执行复杂完整工艺配方、持续记录全部工艺参数的能力并允许分派不同等级的用户权限。
指标解决方案
FHR.Star.100-ALD/PECVD/FLA (旧版型号Cluster DS 100x4)包含一个小型单片进样室，内置机械手臂，用于实现真空条件下的工艺切换。基片被放置在工艺腔室内的旋转臂上，传输至四个工艺端口的其中之一，然后被提升起来。该过程将当前工艺端口与工艺腔室的其它部分隔开，因此能将镀膜工艺限制在当前工艺端口范围内。前驱体和气体的供应位于设备上方。设备各控制柜，比如闪光灯的电容组控制系统等，被安装在底部。按照FHR设备的一贯特性，本设备也能够实现全部组件完全自动化控制并提供便捷的工艺配方管理系统。
设备特殊指标包括：
- 在不破真空的条件下，支持ALD, PECVD和FLA三种工艺间的切换
- 极度节省占地面积，仅需1.8 m x 1.1 m
- 适宜洁净室环境安装
- 全部组件配方控制式镀膜工艺和完整工艺数据记录