MEMS和电池

MEMS、传感器和薄膜电池

  • 高功能密度
  • 低能耗
  • 兼容300 mm CMOS产线

 

 

适于轻型复杂系统应用的300 mm 基材ALD镀膜设备

应用范围

优秀的决策仰仗大量的数据,这也是低成本自供电传感器与评估逻辑模块和无线通讯技术联网后能够在众多方面帮助改善决策的原因:定位房间中烟雾和有毒气体泄漏源、测量某块土地空间分辨养料条件以避免富营养化、以环境毒素或细菌含量为指标大范围监测水体质量、无须暴露于外界环境可直接在体内实现医疗检测或药量控制,等等,而上述这些仅仅是潜在应用范围的很少一部份而已。

设备指标需求

设备应适于高集成度器件的开发,该种器件能够将传感器、执行器、数据处理器、储能元件和无线通讯装置集中在最小空间内的。原子层沉积工艺(ALD)是适于高集成度器件的理想工艺,因为它能在微观层面内实现对凹槽或直立柱形结构等基材二维2D及三维3D表面均匀镀膜。设备用于工业级别下的产品开发或样品生产,因此须具备标准FOUB接口,并通过该接口实现300 mm 基材批量接收和镀膜工艺。同时,作为研发型设备,应能处理CMOS工艺常用的锂、金或铜等材料,提供多种不同的ALD工艺( 交叉气流和气体花洒反应器式等离子体ALD和热ALD),并为客户未来设备改造或厂商日后新型项目的研究提供可能。最后,设备应具备自动执行复杂完整工艺配方、持续记录全部工艺参数的能力并允许分派不同等级的用户权限。

指标解决方案

FHR.Star.300-ALD是处理300 mm基片的枚叶式设备。基片将从标准连续进样盒内被取出并通过FOUB接口传送到进样室内。真空设备中央腔室内的机械手将基片从进样室内取出并送入两个工艺腔室的其中之一:包括等离子体ALD腔室和热ALD腔室。热ALD腔室可选配气体花洒或交叉气流式反应器。腔室内部气体和前驱体小室为多种气体和前驱体留出空间。依照FHR设备一贯特性,该设备提供全部组件的自动化控制功能并配备便捷的操作配方管理系统。

设备特殊指标包括:

  • 标准工业级300 mm基片工艺
  • 可用等离子体ALD和热ALD (两种类型反应器)
  • 保障研发型设备的灵活性
  • 适于洁净室环境安装
  • 全部组件配方控制式镀膜工艺和完整工艺数据记录

FHR.Star.300-ALD

薄膜电池和传感器

用于研发领域的ALD设备