等离子增强化学气相沉积

PECVD

  • 允许低温镀膜
  • 适宜塑料等温度敏感性基材
  • 可用于复杂元件镀膜

等离子增强化学气相沉积

在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中,由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下,200500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备,因此该技术降低了基材的温度负荷。

等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材,辐射和离子轰击可能损坏基材。

另一方面,在远程等离子法中,等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材,也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而,为保证化学反应在被激活的粒子真正抵达基材表面时才开始进行,需精心设计工艺过程。

“低温CVD”工艺应用范围十分广泛,FHR在该领域拥有多年经验。对于无法承受高温的基材,PECVD工艺是极具吸引力的替代方案。例如,该工艺支持在塑料膜材上制备功能薄膜。

由于高温下的扩散工艺可能会破坏掺杂剖面,所以PECVD镀膜工艺被广泛应用到半导体领域中。此外,PECVD工艺也可用于制备微电子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多种复合材料。

FHRPECVD设备可根据客户需求专业定制并根据其预期工艺指标专业适配。我们也经常在溅射设备内配置PECVD工艺模块,拓展技术能力。 FHR公司极具竞争力的设备价格和最佳设备质量一定会使您心动。

化学气相沉积

化学气相沉积(CVD)是薄膜技术领域常用的成熟工艺。该工艺中,固体材料在气相态下,通过化学反应沉积到被加热的基材表面,形成一层薄膜。FHR提供在电线和光纤等基材上沉积碳或氮化硅(SiC)材质的CVD工艺特殊解决方案。

CVD镀膜是高温工艺,要求温度在500°C及以上,且能量输入极高。工艺腔室中的真空环境能够降低熔点,并在保障前驱体物质转化为气相态的同时,避免不必要的化学反应。

PVD工艺不同,化学气相沉积允许复杂形状及三维表面的膜层保形。该工艺也能够在硅片表面制备极为精细的结构。

要进行CVD镀膜,前提是找到合适的前驱体,它能够提供工艺腔室中所需膜层的全部成分。比如,氨气和二氯硅烷被用作氮化硅沉积工艺的前驱体,氯化亚锡或有机锡化合物以及氧气或水蒸汽作为前驱体,用于平面玻璃上沉积二氧化锡隔热涂层。二氧化锡也可保护滤光系统中的玻璃件,避免因碰撞或机械应力造成潜在损伤。

基材表面的状态会影响膜层的生长,只有工艺设计合理,才能保障金属材质在基材表面特殊区域内按预期生长;比如,只在导电区域而不在绝缘区域生长。在微电子领域,这种有选择性的镀膜让CVDPECVD工艺备受欢迎。

FHR公司CVD设备根据不同客户应用范围及相应工艺指标提供个性化定制。我们经常通过添加CVD/PECVD工艺模块有效拓展溅射镀膜技术性能。FHR以极具竞争力的产品价格向客户提供卓越的产品质量、优质的用户体验和坚实的组件性能。