共焦溅射

在传统的Star系列设备中，基材被平行放置在圆形溅射靶的下方。单溅射靶的尺寸只有显著大于下方基材，才能保障膜层厚度均匀。然而在Star系列设备中，也可以转动腔室内的基材，这样，只需要在基材上方倾斜地安装若干较小的靶材就可以实现镀膜工艺。这些靶材为共焦排列，即它们指向基材下方的同一中心点。由于基材不停地旋转，每个独立的溅射靶均可实现均匀厚度镀膜。

上述工艺被称作共焦溅射。共焦溅射尤其适于研发工艺：单工艺腔室内最多可以装配五个溅射靶，因此可在不破真空的情况下沉积多种材料成分。设备最小化实验室占地面积。采用多种材料共溅射工艺同时使用共焦排列实现了多种材料混合膜层的沉积。因此，共焦溅射能够实现大范围多种材料的沉积。

共焦溅射的另一优点是靶材尺寸更小：靶材表面积仅为传统溅射靶材的1/4。这项优点在应用昂贵靶材时将极为有利 (如金和铂)。

从另一角度来讲，传统靶材的安装方式与共焦方式相比，仍有自身的优势：传统构造靶材的沉积速率是共焦形式的4倍。其靶基距可自由调节，无须考虑各靶材或磁极之间空间排列冲突的情形。即使对于极薄的膜层(< 20 nm)，也可实现均匀的膜层厚度。在共焦溅射中，起始角度在开始几圈对膜层的厚度是相当重要的。而在传统安装方式下，膜层厚度从一开始就是均匀的。

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