反应离子刻蚀

RIE

  • 干法刻蚀工艺
  • 支持各向同性和各向异性刻蚀
  • 主要应用于半导体工业领域

微纳米系统技术成形

反应离子刻蚀 (RIE)是化学和物理工艺相结合的干法刻蚀工艺:溅射过程中,离子的碰撞活化了基材表面并为化学反应提供了所需能量,使反应在刻蚀气体中得以进行。FHR在该膜层成型工艺方面有多年经验。

工艺过程中,刻蚀气体与表面材料反应生成挥发性产物,通过真空设备泵抽可将其清除。由于可良好地控制刻蚀性能,该刻蚀方法极具吸引力:工艺可精确控制均匀性、刻蚀剖面、刻蚀速率并具有选择性,可实现与方向无关的各向同性、各向异性以及直接刻蚀。

配合使用特殊掩膜,反应离子刻蚀可被用作微纳米系统技术成形方法。反应离子刻蚀最初被用于半导体领域微成型工艺。

FHR提供适于大面积表面基材工艺的设备 (FHR.Line 在线式生产设备),并可提供用于基片工艺的枚叶式模块化设备 (FHR.Star系列生产设备)。

了解更多其它主题