共焦溅射

在传统的 Star 系统中，基片位于溅射源的正下方。为了确保涂层各处厚度相同，溅射源必须比基底大得多。但也有另一种方法： 基片可以在系统中旋转，并由较小的溅射源以一定角度进行镀膜。这些源都对准基底正下方的一个点。

这就是所谓的 "共焦溅射"。这对于研发目的尤其实用。有了多个这样的源，就可以在不中断系统真空的情况下同时将不同的材料应用到基底上。这不需要占用实验室太多空间。此外，还可以混合不同的材料，制作各种涂层。
还有一个优点：所需的靶材要小得多，因此成本更低，尤其是对于金、铂这样昂贵的材料来说。

不过，只使用一个源的传统方法也有其优势：镀膜过程更快，源与基底之间的距离可以灵活调整。即使是非常薄的涂层，涂层也非常平滑。在这种转动方法中，材料击中表面的角度对于确保涂层厚度的均匀性非常重要。

请看我们的 Star 系统，它同时采用了这两种方法如果您有任何疑问，我们系统销售部门的专家将竭诚为您服务。
 

与其他薄膜沉积技术相比，共焦溅射技术具有众多优势:

1. 单一舱室中的多种材料: 共焦溅射允许在单一舱室内放置多达五种不同的材料，减少了工艺复杂性。
2. 成本效益高: 通过在单一舱室中使用多种材料，可以降低单独靶材和相关工艺设置的成本。
3. 灵活的涂层成分: 由于采用了集成共溅射方法，研究人员和工程师可以精确控制和定制涂层成分，从而实现多种涂层特性。
4. Star系统的最优利用: 该工艺特别适合使用Star系统进行研发，并能优化其潜力。
5. 时间效率高: 由于在一个舱室中可同时使用多种材料，因此无需在不同的靶材之间进行切换，就能更快速、更高效地完成涂层工艺。
6. 创新的材料组合: 共焦溅射技术能够开发出传统溅射技术难以实现的新型材料成分和结构。

在现代涂层技术的许多应用中，共焦溅射是一种极具吸引力的选择。