Dünnschicht­sen­soren Cluster

Mit der Anlage sol­len Sen­so­ren pro­du­ziert wer­den, d. h. Lei­ter­bah­nen, Kon­den­sa­to­ren, Wider­stände, pie­zo­re­sis­tive Schich­ten usw. wer­den auf 200 mm Wafern abge­schie­den. Diese dün­nen Schich­ten aus Metal­len, Oxi­den oder Nitri­den müs­sen über den gan­zen Wafer hin­weg mit einer Schicht­di­cken­ab­wei­chung von weni­ger als +/- ​3 % auf­ge­bracht wer­den und müs­sen gut auf dem Unter­grund sowie auf­ein­an­der haf­ten. Die Anlage muss zum SEMI-Stan­dard kom­pa­ti­bel sein, damit vor- und nach­ge­la­gerte Pro­zesse aus der Halb­lei­ter­in­dus­trie (z. B. zur Struk­tu­rie­rung) ein­ge­setzt wer­den kön­nen. Über­dies muss die Anlage natür­lich voll­au­to­ma­ti­siert Rezepte für ver­schie­dene Sen­so­ren fah­ren kön­nen und ohne äuße­res Zutun ein gan­zes Los von Sub­stra­ten am Stück beschich­ten. Schließ­lich muss die Anlage fle­xi­bel und in der Zukunft erwei­ter­bar sein, um auch kleine Lose spe­zi­el­ler Sen­so­ren dar­auf her­stel­len oder neue Tech­no­lo­gien zur Sen­sor­her­stel­lung (z. B. Atom­la­gen­ab­schei­dung) nach­träg­lich inte­grie­ren zu kön­nen.