Mikro­elek­tronik der Zukunft

Die Anlage dient der For­schung und Ent­wick­lung in der Mikro­elek­tro­nik und muss des­halb für alle heu­ti­gen und zukünf­ti­gen Anfor­de­run­gen gewapp­net sein. Ent­spre­chend muss die Anlage prak­tisch alles kön­nen, was man in Sput­ter­an­la­gen kom­bi­nie­ren kann: Eig­nung für Wafer bis zu 200 mm Durch­mes­ser, kurze Zeit zwi­schen Sub­stratein­le­gen und Pro­zess­start, Akti­vie­rung bzw. Ätzen der Ober­flä­che durch Ionen­be­schuss, Hei­zen des Sub­strats bis 600 °C, DC- und HF-Bias des Sub­strats, bis zu fünf Sput­ter­quel­len und damit ver­schie­dene Tar­get­ma­te­ria­lien, die ein­zeln oder gleich­zei­tig per Co-Sput­tern sowohl in DC als auch HF und sowohl direkt als auch reak­tiv ges­put­tert wer­den kön­nen. Der Win­kel des Tar­gets und der Tar­get-Sub­strat­ab­stand sol­len zudem ein­stell­bar sein und natür­lich darf die Anlage für ihre Auf­stel­lung im Rein­raum nur mini­mal Platz in Anspruch neh­men. Schließ­lich muss die Anlage kom­plexe Rezepte auto­ma­ti­siert absol­vie­ren kön­nen, alle Pro­zess­da­ten kon­ti­nu­ier­lich auf­zeich­nen und ver­schie­dene Nut­z­er­le­vel ermög­li­chen.