Beschichtungsservice der FHR
Der erste Schritt zum neuen Produkt
Sie sind auf der Suche nach einem geeigneten Beschichtungsverfahren? Sie wollen Dünnschichtsysteme zur Qualifikation zunächst an Mustern testen? Ihr Unternehmen produziert in Kleinserie und sucht einen Dienstleister, der Ihre Produkte mit der passenden Beschichtung ausstattet?
Egal, ob einzelner Wafer oder Kleinserie: Fragen Sie uns – wir bieten Ihnen dafür in unserem Applikationslabor Kapazitäten auf unseren hauseigenen Beschichtungsanlagen und erfahrene Experten, die Ihnen mit Rat und Tat zur Seite stehen.

Anlagen vor Ort
Unser Applikationslabor
Unser Applikationslabor umfasst verschiedenste Anlagentypen. Für Beschichtungen ergibt sich die geeignete Anlage aus Substrattyp und -größe sowie den gewünschten Abscheidetechnologien. Mit Anlagenbau, Service und Automatisierung direkt im Haus sind bei Bedarf auch Anpassungen an diesen Anlagen möglich. Sprechen Sie uns hierzu gern an. Auch für Sie neu entwickelte Targets können wir gleich im Applikationslabor direkt bei der FHR vor Ort testen.
FHR.Line.400-V
- Substratgröße: 360 x 400 mm
- Plasmaätzen
- Verfahren: Sputtern (DC, MF, RF)
- Material: Keramik, Wafer, Polymere, Metalle, Glas
Unser Allrounder in der Musterbeschichtung: von der einfachen metallischen Schicht bis hin zum funktionellen AR-Coating.

2 x FHR.Line.600-H
- Substratgröße: 300 x 300 mm, 500 x 500 mm
- Plasmaätzen
- Verfahren: Sputtering (DC, MF, RF)
- Material: Keramik, Wafer, Polymere, Metalle, Glas
Der Einsatzschwerpunkt ist die Sensorfertigung.

Umrüstung oder Neuanlage
Reichen die Kapazitäten nicht (mehr) aus, bieten wir Ihnen mit einer Umrüstung Ihrer vorhandenen Anlage oder der Fertigung einer Neuanlage den nächsten Schritt an.
FHR.Line.2500-H
- Substratgröße: 2200 x 1400 mm
- Plasmavorbehandlung
- Verfahren: Sputtern (DC)
- Material: Keramik, Wafer, Polymere, Metalle, Glas
Die FHR.Line.2500-H kommt schwerpunktmäßig bei großflächigen Substraten und größeren Stückzahlen zum Einsatz.

FHR.Star.300-ALD
- Substratgröße: Durchmesser max. 300 mm
- Substrathöhe: ≤10 mm
- Substratgewicht: ≤700 g
- Verfahren: Thermal und Plasma ALD
- Material: SiO2, ZnO, TiO2, Al2O3, SnO2, Ta2O5, SiN, AlN, TiN, HfO2, ZrO2, Ta:TiO2, Al:ZnO
- Substrat: Keramik, Wafer, Polymere, Metalle, Glas, etc.
- Prozesstemperatur: 80-400°C (materialabhängig)

Die Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) ist ein hoch kontrolliertes Dünnschichtverfahren, das auf zyklisch ablaufenden, selbst-limitierenden chemischen Reaktionen basiert. Diese Technologie ermöglicht den schichtweisen Aufbau ultradünner Filme – oft im Bereich einzelner Atomlagen.
Ursprünglich für die Anforderungen der Halbleiterindustrie entwickelt, überzeugt ALD heute überall dort, wo höchste Anforderungen an Schichtdicke, Homogenität und Konformität gestellt werden. Insbesondere bei komplexen 3D-Substraten mit hohen Aspekt-Verhältnissen zeigt sich die Stärke dieser Technologie: ALD beschichtet auch feinste Strukturen absolut gleichmäßig.
Neben der Mikro- und Nanoelektronik findet ALD breite Anwendung in der Energietechnik, Sensorik und Medizintechnik – etwa zur Herstellung funktionalisierter Oberflächen oder Schutzschichten. Die Technologie eröffnet neue Gestaltungsspielräume für die Entwicklung leistungsfähiger, langlebiger und maßgeschneiderter Schichtsysteme.
FHR.Star.500-EOSS®
- Substratgröße: Durchmesser 200 mm
- Verfahren: Sputtern im Metamode
- Material: Oxide & Nitride
Die Anlagen unserer Produktfamilie FHR.Star-EOSS® basieren auf den Kundenforderungen an ein Präzisions-Sputtersystem für die Abscheidung optischer Mehrfachschichten mit höchsten Anforderungen an Schichtqualität und Schichtdicken-Homogenität auf überwiegend flachen Substraten. Unsere Präzisions-Sputtersysteme eignen sich zur Abscheidung interferenzoptischer Schichtsysteme für die Herstellung dielektrischer Spiegel und optischer Filter wie beispielsweise Bandpassfilter oder Mehrfach-Kerbfilter.

FHR.Star.300-EVA
- Substratgröße: Durchmesser max. 300 mm
- Substratgewicht: ≤1000 g
- Verfahren: Thermisches Verdampfen
- Material: C60, Ag, Sb, Bi, etc.
- Substrate: Keramik, Wafer, Polymere, Metalle, Glas, etc.
- Tiegel-Temperatur: max. 1500 °C
- Basisdruck: 10-(6-7)mbar
- 2 Quellen

Die thermische Verdampfung zählt zu den etablierten Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (Physical Vapor Deposition, PVD) und wird unter Vakuumbedingungen eingesetzt. Charakteristisch ist die hohe Abscheidungsrate, die in Kombination mit vergleichsweise einfacher Prozessführung eine wirtschaftlich attraktive Beschichtungslösung bietet.
Das Verfahren ermöglicht die gleichmäßige Abscheidung dünner Schichten auf unterschiedlichsten Substratmaterialien – von flexiblen Metall- und Polymerfolien über Glas bis hin zu strukturiertem Silizium. Neben der leichten Skalierbarkeit für großflächige Anwendungen überzeugt die thermische Verdampfung durch ein breites Materialspektrum und eine hohe Prozessstabilität.
Eingesetzt wird dieses Verfahren unter anderem in der Elektronikfertigung, für optische und dekorative Beschichtungen, in der Photovoltaik sowie in der Verpackungs- und Barrieretechnologie. Die thermische Verdampfung bleibt damit eine vielseitige und bewährte Lösung, wenn Effizienz, Materialvielfalt und hohe Produktionsgeschwindigkeit gefragt sind.


Ihr Ansprechpartner
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Ganz gleich, ob Bemusterung oder Kleinserie – unser Team hilft Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns eine E-Mail oder rufen Sie einfach an und lassen Sie sich von uns beraten.